Prima di procedere
Samsung Electronics ha riconquistato la seconda posizione nel mercato della memoria ad alta larghezza di banda (HBM) nel terzo trimestre di quest'anno, superando Micron Technology. Dopo essere scivolata al terzo posto nei primi due trimestri, l'azienda sudcoreana ha mostrato segnali di ripresa, espandendo le spedizioni dei suoi prodotti HBM3E (di quinta generazione).
Secondo i dati della società di ricerca Counterpoint Research, pubblicati il 19 dicembre, la quota di mercato globale di Samsung Electronics nel mercato HBM (in termini di ricavi) ha raggiunto il 22% nel terzo trimestre. Si tratta di un aumento di 7 punti percentuali rispetto al trimestre precedente (quando era al 15%). Nello stesso periodo, Micron si è attestata al 21% del mercato, cedendo così la seconda posizione a Samsung Electronics.
SK hynix ha mantenuto la prima posizione con una quota di mercato del 57%. Pur rimanendo leader di mercato, il suo dominio è leggermente diminuito rispetto al trimestre precedente, quando deteneva una quota del 64%. Gli analisti stimano che Samsung Electronics abbia gettato le basi per la ripresa superando l'impatto negativo del calo delle esportazioni verso la Cina e avviando le spedizioni su vasta scala dei prodotti HBM3E a partire dal terzo trimestre.
Samsung sta inoltre dimostrando una forte competitività nel mercato complessivo delle DRAM. In termini di quota di mercato delle DRAM nel terzo trimestre, calcolata in base ai ricavi, SK hynix ha mantenuto la prima posizione con il 34%, mentre la quota di Samsung Electronics ha raggiunto il 33% (in aumento di 1 punto percentuale). Il divario tra Samsung e SK hynix è quindi di solo 1 punto percentuale. Nel report si sottolinea come SK hynix abbia creato scalpore superando per la prima volta nella storia Samsung Electronics e raggiungendo la prima posizione per fatturato DRAM nel primo trimestre di quest'anno. La caduta di Samsung Electronics al secondo posto dopo aver mantenuto la posizione di "imperatore dei semiconduttori" dal 1992 è stato un evento senza precedenti nella storia dell'industria dei semiconduttori. Micron si è classificata terza con una quota di mercato del 26% nello stesso periodo.
Il mercato delle DRAM in questo trimestre è cresciuto complessivamente del 26% rispetto al trimestre precedente, grazie a un aumento record dei prezzi e dei volumi di spedizione. La riduzione della produzione di DRAM obsolete da parte dei tre principali produttori di memoria ha creato una carenza di offerta, portando a un aumento dei prezzi.
Gli analisti del settore prevedono un'ulteriore intensificazione della concorrenza per la leadership nel mercato HBM4 il prossimo anno. Samsung Electronics sta espandendo la capacità produttiva di HBM3E nella seconda metà dell'anno e sta accelerando lo sviluppo di prodotti di prossima generazione (HBM4). Si prevede che anche SK hynix concentrerà tutti i suoi sforzi per mantenere la sua leadership nel segmento HBM.
La competizione nel mercato delle memorie ad alte prestazioni è quindi destinata a farsi sempre più intensa, con Samsung che punta a recuperare il terreno perduto e a sfidare la leadership di SK Hynix. L'innovazione tecnologica e l'espansione della capacità produttiva saranno fattori chiave per determinare il futuro leader di questo settore strategico.
