TSMC smentisce la produzione di memorie 3D DRAM nonostante le indiscrezioni sul progetto per Nvidia

TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ha smentito ufficialmente le recenti indiscrezioni riguardanti l'avvio di una linea di produzione interna per memorie di tipo 3D DRAM. Secondo le voci circolate nel settore, l'azienda avrebbe iniziato a studiare la tecnologia su sollecitazione di Nvidia, interessata a stabilizzare la propria catena di approvvigionamento a fronte della carenza globale di componenti per sistemi di intelligenza artificiale. Tuttavia, la società taiwanese ha ribadito che la propria missione rimane concentrata esclusivamente sul settore della produzione a contratto di chip logici.

Le indiscrezioni suggerivano che il progetto fosse supervisionato da Hsu Kuo-chin, attuale vicepresidente di TSMC per il packaging avanzato ed ex dirigente della divisione taiwanese di Micron. L'interesse per la tecnologia 3D DRAM è dettato dalla necessità di superare i limiti delle attuali memorie planari, dove le celle sono disposte su un unico piano. L'architettura 3D prevede invece la sovrapposizione verticale delle celle, aumentando drasticamente la capacità per singolo wafer e ottimizzando lo spazio nei sistemi ad alte prestazioni. Nonostante i potenziali vantaggi commerciali, TSMC ha dichiarato: "Vogliamo sottolineare che TSMC si concentra sempre sulla sua attività principale: la produzione conto terzi di circuiti integrati. La nostra missione è rimanere a lungo termine un partner tecnologico affidabile e un fornitore di capacità produttiva per l'industria globale dei microchip logici".

La produzione di memorie DRAM richiederebbe processi produttivi e infrastrutture di cui TSMC attualmente non dispone. A differenza dei chip logici, le memorie richiedono tecniche di fabbricazione specifiche per gestire l'accumulo di cariche e il controllo dei difetti negli strati verticali. Anche i leader mondiali del settore come Samsung, SK hynix e Micron sono ancora distanti dalla commercializzazione di massa di memorie 3D DRAM. Per TSMC, l'ingresso in questo mercato comporterebbe investimenti miliardari e anni di ricerca per sviluppare tecnologie da zero, oltre al rischio di compromettere le relazioni con partner storici come SK hynix, per i quali l'azienda taiwanese realizza i controller logici delle memorie HBM.

Esistono inoltre barriere di natura normativa. Un'integrazione verticale che includa sia la produzione di chip logici avanzati sia quella di memorie potrebbe attirare l'attenzione delle autorità garanti della concorrenza, data la posizione dominante di TSMC nel mercato dei semiconduttori. Al momento, l'azienda preferisce collaborare con i produttori di memoria esistenti utilizzando tecnologie di packaging come il sistema SoIC (System on Integrated Chips), che permette di integrare i moduli DRAM prodotti da terzi direttamente sui processori, evitando i rischi operativi legati alla gestione di una propria fabbrica di memorie.