Tesla svela la nuova roadmap dei chip SI6: prestazioni ottuplicate e produzione a 2 nanometri

Tesla ha aggiornato ufficialmente la propria tabella di marcia per lo sviluppo degli acceleratori di calcolo, introducendo un cambiamento significativo nella nomenclatura dei prodotti: il termine AI, riferito all'intelligenza artificiale, viene sostituito dalla sigla SI, acronimo di Super Intelligence. La nuova roadmap delinea il percorso tecnologico verso i chip di sesta generazione, denominati SI6, che promettono un incremento delle prestazioni computazionali di 80 volte rispetto ai componenti di quarta generazione attualmente in uso.

Il passaggio alla denominazione Super Intelligence riflette una visione strategica confermata da Elon Musk, il quale ha già esteso questa modifica al progetto SpaceXAI, ora rinominato SpaceXSI. Sul fronte hardware, il processore SI6 per l'inferenza rappresenterà il vertice della produzione Tesla nel prossimo decennio. Secondo i dati tecnici rilasciati, l'unità raggiungerà una potenza di calcolo compresa tra 17.280 e 46.080 TOPS, a seconda delle modalità di misurazione, supportata da una capacità di memoria otto volte superiore a quella dell'attuale SI4, precedentemente noto con la sigla HW4.

Per la realizzazione di questi componenti avanzati, la società ha consolidato la propria collaborazione con Samsung Foundry. L'accordo prevede la produzione dei chip SI6 tramite un processo litografico di classe 2 nanometri, con un contratto di fornitura che si estenderà fino al 2033. Questa scelta esclude, per il periodo di riferimento, l'impiego delle fonderie Intel e del loro processo produttivo 14A, inizialmente ipotizzato per gli anni Trenta. La finestra temporale prevista per il debutto dei sistemi SI6 è fissata tra il 2029 e il 2030, basandosi sulla disponibilità dei nodi produttivi specializzati di Samsung per il settore automobilistico e ad alte prestazioni.

Parallelamente allo sviluppo dei chip per l'inferenza, l'azienda sta lavorando a Dojo 3 (D3), il sistema dedicato all'addestramento dei modelli. Rispetto all'architettura originale Dojo D1 basata su memoria SRAM, la nuova versione utilizzerà una struttura multi-chiplet con memoria impilata HBM, integrando tecnologie di assemblaggio 2.5D e 3D. Un dettaglio tecnico di rilievo riguarda l'ottimizzazione di Dojo 3 per l'impiego nello spazio: il sistema sarà progettato per garantire la resistenza alle radiazioni, espandendo potenzialmente il campo d'azione delle tecnologie Tesla oltre l'ambito terrestre e automobilistico.

Nel breve termine, la roadmap prevede il passaggio ai chip SI5 di quinta generazione. Questi componenti, la cui produzione sarà suddivisa tra TSMC, con processo a 3 nanometri, e Samsung Foundry a 2 nanometri, dovrebbero garantire prestazioni 40 volte superiori agli attuali standard HW4 prodotti a 7 nanometri. L'evoluzione tecnologica dei semiconduttori Tesla si conferma dunque legata a un ciclo di sviluppo serrato, mirato a centralizzare la gestione della potenza di calcolo necessaria per i futuri sistemi di guida autonoma e le infrastrutture di addestramento dati.