Samsung e SK Hynix accelerano la produzione di memorie in Cina: Sfida alla tecnologia US

Nonostante le restrizioni USA, i colossi sudcoreani investono miliardi per potenziare gli impianti cinesi di NAND e DRAM, sfruttando il boom dell'I

Samsung e SK Hynix accelerano la produzione di memorie in Cina: Sfida alla tecnologia US

Nonostante le crescenti tensioni geopolitiche e i tentativi degli Stati Uniti di limitare l'espansione tecnologica della Cina, i giganti sudcoreani della memoria, Samsung Electronics e SK Hynix, stanno intensificando gli investimenti nei loro impianti produttivi cinesi. Questa mossa strategica mira a capitalizzare la crescente domanda globale di memorie, alimentata dal boom dell'intelligenza artificiale (IA) e dalle nuove applicazioni tecnologiche.

Già durante la presidenza Biden, le autorità statunitensi avevano cercato di ostacolare la capacità dei produttori sudcoreani di aggiornare ed espandere i loro stabilimenti in Cina, dove viene prodotto un volume significativo di memorie per il mercato mondiale. Tuttavia, Samsung e SK Hynix sono riuscite a mantenere l'accesso alle attrezzature americane necessarie per la produzione di memorie, continuando al contempo a investire nell'ammodernamento delle loro strutture cinesi.

Secondo quanto riportato da Business Korea, Samsung Electronics ha investito 344 milioni di dollari nell'ammodernamento del suo stabilimento di Xi'an nel corso dell'anno precedente, con un aumento del 67,5% rispetto all'anno precedente. Questo impianto rappresenta l'unica sede di produzione estera di Samsung per chip di memoria NAND e fornisce fino al 40% della produzione mondiale. È importante notare che gli investimenti nello stabilimento cinese di Samsung non sono stati costanti. Dopo un investimento di 464 milioni di dollari nel 2019, l'azienda non ha fornito un sostegno finanziario significativo per quattro anni. Nel 2024, Samsung ha destinato 184 milioni di dollari al supporto dello stabilimento, per poi aumentare l'importo del 67,5% l'anno successivo.

Anche la concorrente SK Hynix ha investito oltre 663 milioni di dollari nei suoi stabilimenti cinesi l'anno scorso. A Wuxi, l'azienda possiede un impianto di produzione di DRAM, mentre a Dalian ha ereditato da Intel una fabbrica di 3D NAND. Il primo sito ha beneficiato di un raddoppio degli investimenti, raggiungendo i 190 milioni di dollari, mentre il secondo ha ricevuto 293 milioni di dollari, con un aumento di una volta e mezza rispetto agli investimenti del 2024. Era dal 2022, quando SK Hynix ha acquistato l'impianto di Dalian da Intel, che l'azienda non aveva investito più di 660 milioni di dollari nella sua base di produzione cinese. In valuta nazionale sudcoreana, questo importo supera la soglia psicologicamente significativa di 1 trilione di won. In un contesto di boom dell'IA, la memoria è diventata un bene scarso, spingendo le aziende sudcoreane dominanti sul mercato ad aumentare attivamente la sua produzione.

Samsung prevede di avviare la produzione in Cina di memorie 3D NAND a 236 strati, più avanzate rispetto alle precedenti a 128 strati. Considerando che in Corea del Sud Samsung prevede di avviare la produzione di memorie a 400 strati quest'anno, la tecnologia a 236 strati, pur essendo leggermente meno recente, potrebbe essere adatta alla produzione in Cina, tenendo conto delle politiche di contenimento dello sviluppo tecnologico del paese. Anche l'impianto di produzione di DRAM di SK Hynix a Wuxi passerà dalla terza alla quarta generazione del processo a 10 nm (1a), consentendo una produzione vantaggiosa di chip DDR5. Questo stabilimento in Cina fornisce oltre il 30% della produzione mondiale di DRAM dell'azienda.

Questi investimenti massicci sottolineano l'importanza strategica della Cina per i produttori di memorie sudcoreani, nonostante le pressioni politiche e le restrizioni tecnologiche imposte dagli Stati Uniti. La capacità di Samsung e SK Hynix di bilanciare le esigenze del mercato globale con le tensioni geopolitiche sarà fondamentale per il loro successo futuro nel settore delle memorie.

Pubblicato Venerdì, 27 Marzo 2026 a cura di Anna S. per Infogioco.it

Ultima revisione: Venerdì, 27 Marzo 2026

Anna S.

Anna S.

Anna è una giornalista dinamica e carismatica, con una passione travolgente per il mondo dell'informatica e le innovazioni tecnologiche. Fin da giovane, ha sempre nutrito una curiosità insaziabile per come la tecnologia possa trasformare le vite delle persone. La sua carriera è caratterizzata da un costante impegno nell'esplorare le ultime novità in campo tecnologico e nel raccontare storie che ispirano e informano il pubblico.


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