Prima di procedere
I produttori di memorie stanno continuamente migliorando le tecnologie di produzione, non solo per la RAM, ma anche per le memorie a stato solido. SanDisk, uno dei principali sviluppatori di HBF (Hybrid Bonded Flash), ha in programma di costruire una linea pilota di produzione in Giappone entro la fine dell'anno e di iniziare la produzione su larga scala nel 2027.
Secondo ETNews, l'azienda ha già iniziato a cercare materiali, componenti e attrezzature per la produzione di HBF, un nuovo tipo di NAND che prevede un impilamento verticale simile a HBM (High Bandwidth Memory). La linea sperimentale in Giappone potrebbe essere installata nel prossimo semestre e SanDisk prevede di ottenere i primi campioni di HBF entro la fine dell'anno. Se tutto andrà secondo i piani, SanDisk potrebbe avviare la produzione di massa di HBF circa sei mesi prima del previsto.
La produzione di HBF utilizzerà parte delle attrezzature adatte alla produzione di HBM, nonché alcune tecnologie. Pertanto, non dovrebbero esserci problemi nella ricerca di fornitori di materiali e attrezzature per la produzione di HBF. Anche i produttori di memorie cinesi si stanno preparando ad avviare la produzione di HBF, quindi la concorrenza sul mercato promette di essere agguerrita. Nel campo della standardizzazione di HBF, SanDisk è supportata dal suo concorrente SK hynix. Si prevede che la domanda di HBF raggiungerà il picco nel 2030. Anche Samsung Electronics mostra interesse per la produzione di HBF, lavorando allo sviluppo di tale memoria dall'inizio di questo decennio. Tuttavia, a differenza di SK hynix, questo produttore sudcoreano non ha fretta di fare annunci importanti sui tempi di rilascio di HBF sul mercato.
Si ritiene che HBF consentirà di posizionare grandi quantità di dati nelle immediate vicinanze della GPU (Graphics Processing Unit), accelerando il lavoro con i modelli di AI (Artificial Intelligence) nelle attività di inferenza. Se HBF è inferiore a HBM in termini di velocità, la sua capacità la supera fino a 16 volte. In sostanza, in uno stack HBF a 16 livelli, è possibile memorizzare fino a 512 GB di informazioni. Se si circonda una GPU con otto di questi stack, la quantità di memoria aumenterà fino a 4 TB. La domanda di tali soluzioni crescerà man mano che il campo dell'intelligenza artificiale passerà dall'addestramento di grandi modelli linguistici all'inferenza.
L'avvento di HBF rappresenta una svolta significativa nel panorama delle memorie per l'intelligenza artificiale, offrendo un'alternativa promettente a HBM. La competizione tra i produttori, come SanDisk, SK hynix e Samsung, porterà a ulteriori innovazioni e a una maggiore accessibilità di queste tecnologie avanzate. Il futuro dell'AI, con le sue crescenti esigenze di memoria e velocità, troverà in HBF un valido alleato.
