TSMC annuncia il processo A14 per il 2028 con un salto tecnologico per le memorie SRAM

La società taiwanese TSMC ha annunciato importanti progressi per il futuro processo produttivo denominato A14, che dovrebbe entrare in fase di produzione di massa nel 2028. La principale novità riguarda l'area occupata dalle celle di memoria SRAM, un componente fondamentale per la cache dei processori, che subirà una riduzione superiore al 19% dopo quasi otto anni di sostanziale immobilità tecnologica in questo specifico ambito. Secondo le stime fornite dall'azienda, la superficie di una cella passerà dagli attuali 0,021 micrometri quadrati a un valore inferiore a 0,017 micrometri quadrati.

Questo sviluppo segna la fine di un periodo di stasi iniziato nel 2020 con l'introduzione dei chip a 5 nanometri (N5). Durante i successivi cicli dei processi a 3 e 2 nanometri, le dimensioni delle celle SRAM erano rimaste pressoché invariate. La capacità di ridurre lo spazio occupato dalla memoria permetterà ai produttori di hardware di integrare una quantità maggiore di cache all'interno dei chip senza aumentarne le dimensioni fisiche, oppure di mantenere le prestazioni attuali riducendo l'ingombro complessivo del silicio.

Oltre al miglioramento della densità delle memorie, il nodo A14 promette un incremento della densità dei transistor del 20% rispetto al precedente standard N2. In termini di prestazioni pure, i nuovi semiconduttori potranno garantire una velocità di commutazione superiore del 10-15% a parità di consumi, oppure una riduzione del fabbisogno energetico del 30% mantenendo le medesime frequenze operative. Si tratta di parametri che interessano direttamente i produttori di dispositivi mobili e di server, settori dove l'efficienza termica e la durata della batteria sono fattori critici.

Il confronto con la concorrenza vede la taiwanese TSMC in una posizione di vantaggio tecnologico dichiarato. Attualmente, Intel con il suo processo 18A raggiunge una densità SRAM di 0,021 micrometri quadrati, pareggiando di fatto i vecchi standard N5 di TSMC. Sebbene il colosso statunitense preveda di introdurre il nodo 14A nel 2028, non ha ancora diffuso dati specifici sul ridimensionamento delle celle di memoria per quella generazione. Al contrario, Samsung Electronics ha scelto di non rendere pubblici i dati relativi alla densità delle celle SRAM per i propri processi produttivi avanzati.

L'implementazione del processo A14 non si limiterà alla miniaturizzazione. L'azienda ha sviluppato nuove tecnologie di integrazione a livello di sistema, tra cui uno strato di ridistribuzione con supporto per un passo di 4,5 micrometri per l'integrazione spaziale, condensatori ad alte prestazioni e nuove tipologie di connessioni tra i diversi strati del chip. L'inizio della produzione commerciale dei chip basati sulla tecnologia A14 è fissato per l'anno 2028, termine entro il quale l'intero ecosistema dei semiconduttori dovrà adattarsi a queste nuove specifiche di densità e potenza.