Prima di procedere
Intel ha segnato un punto di svolta nell'industria dei semiconduttori, diventando uno dei primi ad accogliere gli scanner litografici ASML di classe High-NA EUV. Questa tecnologia all'avanguardia apre la strada alla produzione di chip con dimensioni inferiori ai 2 nm, una soglia che promette di rivoluzionare le prestazioni e l'efficienza dei dispositivi elettronici. Mentre le prime versioni di questi sistemi erano principalmente destinate alla sperimentazione, Intel ha recentemente completato con successo i test di accettazione del Twinscan EXE:5200B, uno scanner che sarà impiegato nella produzione in serie di chip.
Il Twinscan EXE:5200B rappresenta un significativo passo avanti rispetto ai suoi predecessori. Pur mantenendo l'alta risoluzione già dimostrata dal Twinscan EXE:5000, il nuovo sistema vanta una maggiore produttività, con una capacità di elaborazione di 175 wafer di silicio all'ora. Inoltre, la precisione di sovrapposizione degli strati durante l'esposizione è stata portata a soli 0,7 nanometri. Intel ha testato le apparecchiature ASML per la litografia ultravioletta estrema ad alta apertura numerica (High-NA EUV) sin dal 2023, ma il modello Twinscan EXE:5200B offre una serie di vantaggi rispetto ai primi prototipi.
Un elemento chiave di questo avanzamento è la sorgente laser più potente, che consente la creazione di proiezioni più nitide e contrastate per i futuri transistor. Il nuovo design del supporto per i wafer di silicio tiene conto delle peculiarità del processo di lavorazione, aumentando la capacità produttiva in un contesto di produzione di massa. La maggiore precisione di sovrapposizione è il risultato di una migliore calibrazione dei sensori, della stabilità della base e dell'isolamento dalle influenze esterne. Questo equipaggiamento di nuova generazione promette di ridurre il numero di operazioni necessarie per la fabbricazione di chip avanzati, diminuire i costi di attrezzaggio e aumentare la produttività complessiva della linea di produzione. Naturalmente, si prevede che il tasso di difetti raggiungerà un livello accettabile più rapidamente rispetto alle generazioni precedenti di apparecchiature.
Parallelamente a questi sviluppi, i rappresentanti di Intel hanno condiviso progressi nell'implementazione di nuovi materiali per la produzione di chip con transistor sempre più piccoli. In particolare, i dicalcogenuri dei metalli di transizione si sono dimostrati promettenti nella creazione di strutture con dimensioni di pochi atomi di silicio, senza compromettere le proprietà fisiche essenziali. Intel sta collaborando attivamente con Imec, un'organizzazione di ricerca europea leader, per perfezionare l'uso di materiali bidimensionali. Questi sforzi congiunti stanno portando a progressi significativi nell'introduzione di nuovi materiali, il cui impiego è considerato fattibile e vantaggioso nella produzione di massa con wafer di silicio da 300 mm.
Guardando al futuro, ASML prevede di avviare la fornitura su larga scala di apparecchiature di classe High-NA EUV a partire dal 2027. Per raggiungere questo obiettivo, l'azienda dovrà collaborare strettamente con i propri clienti nel corso del prossimo anno. Inoltre, nel prossimo decennio, ASML introdurrà la tecnologia Hyper-NA, che promette un'ulteriore ottimizzazione del ridimensionamento dei transistor sulla superficie del chip, mantenendo un ritmo accettabile di crescita delle prestazioni dei componenti a semiconduttore.
L'adozione di queste tecnologie avanzate da parte di Intel non solo consolida la sua posizione di leader nel settore, ma apre anche nuove prospettive per l'innovazione tecnologica, con implicazioni significative per una vasta gamma di applicazioni, dall'informatica mobile all'intelligenza artificiale e oltre. La competizione per lo sviluppo di chip sempre più potenti ed efficienti è destinata a intensificarsi, con benefici tangibili per i consumatori e per l'intera economia digitale.
