Prima di procedere
Le aziende partner giapponese Kioxia e americana SanDisk si preparano a presentare alla International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) una memoria con una densità record. La prossima 3D QLC NAND offrirà una densità di 37,6 Gbit/mm², equivalenti a 4,7 GByte/mm². Questo rappresenta un passo avanti significativo nel campo delle memorie flash, aprendo la strada a dispositivi di storage sempre più capienti e performanti.
Gli ingegneri di Kioxia e SanDisk presenteranno un documento intitolato "Memoria flash 3D a quattro bit per cella da due terabit, architettura a sei piani, densità di 37,6 Gbit/mm² e velocità di scrittura superiore a 85 MB/s". Si prevede che si tratterà dei chip BiCS10 QLC a 332 strati. La nuova BiCS10 QLC, come la BiCS8 QLC, offrirà fino a 2 Tbit (256 GByte) per die, ma con una densità superiore, la capacità del chip potrebbe raggiungere gli 8 TByte. Un risultato simile è stato ottenuto da SK hynix con la sua V9 QLC a 321 strati, ma non sono ancora disponibili informazioni precise sulla densità del produttore coreano.
Con una densità di 37,6 Gbit/mm² e una capacità di 2 Tbit, è possibile calcolare l'area del die, che sarà di circa 55 mm². Si prevede inoltre un aumento della velocità, poiché la versione TLC di BiCS10 avrà un'interfaccia con una velocità di 4,8 Gbit/s, mentre quella di BiCS8 era di soli 3,6 Gbit/s. L'architettura a sei livelli fornirà a BiCS10 QLC una velocità di scrittura superiore a 85 MB/s, inferiore a quella della TLC, ma superiore a quella della V9 QLC di SK hynix con i suoi 75 MB/s.
Nell'attuale generazione BiCS8, i chip di Kioxia e SanDisk, con un numero relativamente basso di strati (218), possono competere con i concorrenti in termini di densità di dati e offrono la massima velocità. Passando a 332 strati, Kioxia e SanDisk si contrapporranno a Samsung V10, che promette di raggiungere i 400 strati e persino di raggiungere i 5,6 Gbit/s per la V10 TLC. La competizione nel settore delle memorie flash è quindi più accesa che mai, con continui progressi tecnologici che spingono i limiti delle prestazioni e della capacità.
L'annuncio di Kioxia e SanDisk rappresenta un importante passo avanti per il futuro dello storage. L'aumento della densità consentirà di realizzare dispositivi più piccoli e capienti, aprendo nuove possibilità per smartphone, tablet, SSD e altre applicazioni. Sarà interessante seguire gli sviluppi futuri e vedere come questa tecnologia si evolverà nei prossimi anni.
