Prima di procedere
Samsung è pronta a ridefinire i limiti della velocità di trasferimento dati con la sua prossima generazione di memoria HBM4E. Secondo quanto annunciato, l'azienda coreana prevede di raggiungere una velocità di trasferimento dati di ben 13 Gbps tramite questa tecnologia all'avanguardia. La HBM4E, considerata la settima generazione della tecnologia HBM (High Bandwidth Memory), si basa sulla formazione di uno stack composto da diversi livelli di DRAM, offrendo prestazioni superiori rispetto alle soluzioni attuali.
La produzione di massa della HBM4E è prevista per il 2027. Samsung Electronics mira a incrementare la velocità di trasferimento dati di due volte e mezzo rispetto all'attuale HBM3E, offrendo un notevole miglioramento delle prestazioni per applicazioni che richiedono un'elevata larghezza di banda di memoria. Durante l'OCP Global Summit 2025 in California, i rappresentanti di Samsung hanno sottolineato che la HBM4E sarà in grado di raggiungere una velocità di trasferimento dati di 13 Gbps per contatto. Considerando che la HBM4E sarà dotata di 2048 contatti, la velocità effettiva potrebbe raggiungere i 3,25 TB/s. Inoltre, l'efficienza energetica della HBM4E sarà più del doppio rispetto alla HBM3E, contribuendo a ridurre il consumo energetico complessivo dei sistemi.
Inizialmente, a gennaio, Samsung aveva previsto di aumentare la larghezza di banda della HBM4E fino a 10 Gbps per contatto. Tuttavia, le richieste di Nvidia, che ha sollecitato i potenziali fornitori di memoria per gli acceleratori della famiglia Rubin ad aumentare la larghezza di banda della HBM4 da 8 a 10 Gbps, hanno spinto Samsung e SK hynix a superare le aspettative, raggiungendo gli 11 Gbps. Micron è stata costretta a seguire l'esempio, adeguandosi alle nuove specifiche.
Questo aumento della larghezza di banda della HBM4 ha portato i produttori a rivedere le caratteristiche della HBM4E, che promette prestazioni ancora superiori. Samsung ha formalmente adeguato le specifiche della sua memoria, garantendo che la larghezza di banda risultante superi per la prima volta nella storia i 3 TB/s. Oltre alla HBM4E, Samsung ha condiviso dettagli sulle caratteristiche della LPDDR6, standardizzata da JEDEC a luglio. L'azienda prevede di migliorare l'efficienza energetica del 20% rispetto alla LPDDR5X e di aumentare la larghezza di banda fino a 114,1 GB/s. La LPDDR6 promette di offrire prestazioni superiori con un consumo energetico ridotto, rendendola ideale per dispositivi mobili e applicazioni embedded.
Nel settore della produzione a contratto, Samsung prevede di avviare la produzione di massa di prodotti a 2 nm entro la fine dell'anno. Il primo cliente di Samsung in questo ambito è lo sviluppatore sudcoreano di acceleratori di Intelligenza Artificiale, Rebellions. I processori a 2 nm saranno in grado di raggiungere frequenze comprese tra 3,5 e 4,0 GHz, superando le prestazioni dei processori Nvidia Grace con architettura Arm prodotti da TSMC a 4 nm, che operano a una frequenza di 3,44 GHz. L'impegno di Samsung nell'innovazione tecnologica si traduce in prodotti sempre più performanti ed efficienti, in grado di soddisfare le esigenze di un mercato in continua evoluzione.
