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Dopo un periodo di predominio di SK Hynix nel settore delle memorie HBM (High Bandwidth Memory), Samsung Electronics ha riconquistato la leadership in termini di volumi di produzione. Secondo quanto riportato da Business Korea, Samsung ha recentemente raggiunto una capacità produttiva mensile di 170.000 wafer di silicio contenenti chip HBM, superando SK Hynix, ferma a 160.000 wafer. Questo sorpasso segna un punto di svolta nel mercato delle memorie ad alta velocità, essenziali per applicazioni come l'intelligenza artificiale e il calcolo ad alte prestazioni.
Il successo di Samsung è attribuibile a una serie di fattori strategici, tra cui la riallocazione delle linee di produzione precedentemente dedicate alle memorie DRAM verso la produzione di HBM. Questo cambiamento è stato accompagnato da significativi miglioramenti nei processi produttivi, un'evoluzione perseguita con determinazione a partire dalla seconda metà del 2023, in seguito a una riorganizzazione del management della divisione DS avvenuta nel maggio 2024. Un traguardo importante è stato raggiunto nel settembre 2024, quando le memorie HBM3E di Samsung hanno ottenuto la certificazione da parte di Nvidia, superando i problemi iniziali di surriscaldamento che avevano ostacolato l'approvazione. Oltre a Nvidia, Samsung ha iniziato a fornire memorie HBM anche a Google, e ha già distribuito campioni della sua più recente HBM4 a diversi clienti.
Per sostenere la crescente domanda di memorie HBM, Samsung sta ampliando e riorganizzando le linee di produzione P3 e P4 nel suo stabilimento di Pyeongtaek, convertendole alla produzione di chip DRAM basati sul processo produttivo avanzato di sesta generazione 1c. Inoltre, la costruzione della linea P5 è stata accelerata per incrementare ulteriormente la capacità produttiva. Mentre Samsung punta sulla riconversione delle linee esistenti, SK Hynix sta investendo nella realizzazione di nuove strutture produttive dedicate esclusivamente alle memorie HBM.
Gli analisti prevedono che, nel corso del prossimo anno, sia Samsung che SK Hynix raggiungeranno una capacità produttiva mensile di 200.000 wafer. Samsung dovrebbe mantenere un leggero vantaggio fino alla metà del 2026, quando SK Hynix prevede di inaugurare il nuovo stabilimento M15X, potenzialmente in grado di ribaltare gli equilibri di mercato. La competizione si sposta ora sulle memorie HBM4, dove il successo dipenderà da diversi fattori. Samsung, grazie alla sua integrazione verticale, può produrre internamente i chip di base adattati alle esigenze dei clienti, mentre SK Hynix dovrà fare affidamento sui servizi di TSMC.
Il mercato delle memorie HBM è in forte crescita, con una quota prevista di oltre il 20% del mercato DRAM totale quest'anno, rispetto all'8% dell'anno precedente. La produzione di memorie HBM è significativamente più redditizia rispetto alle DDR standard, con un margine di profitto da 3 a 5 volte superiore agli attuali livelli di prezzo. L'integrazione verticale del business di Samsung, che comprende la progettazione, la produzione e l'assemblaggio delle memorie, potrebbe conferirle un vantaggio competitivo nel mercato HBM, consentendole di offrire soluzioni più personalizzate e ottimizzate per le esigenze dei clienti.
