Prima di procedere
Samsung Electronics ha annunciato di aver iniziato la produzione di massa delle memorie HBM4, superando la concorrenza, in particolare SK Hynix, nella corsa alla nuova generazione di memorie ad alta larghezza di banda. Questa mossa strategica potrebbe rafforzare la posizione di Samsung nel mercato delle memorie per l'intelligenza artificiale (AI) e il calcolo ad alte prestazioni.
Secondo quanto riportato da Bloomberg, i nomi dei clienti di Samsung non sono stati divulgati, ma è ampiamente ipotizzabile che Nvidia sia tra i principali destinatari di queste nuove memorie. L'annuncio ha avuto un impatto positivo sul mercato azionario, con le azioni di Samsung Electronics che hanno registrato un aumento del 7,6%, raggiungendo un nuovo massimo storico.
La competizione nel settore delle memorie HBM4 è intensa, con SK Hynix e Micron pronte a contendersi una quota significativa delle forniture a Nvidia. Tutte e tre le aziende dovranno dimostrare la loro capacità di fornire chip HBM4 per la produzione degli acceleratori di nuova generazione Vera Rubin e dei sistemi server basati su questa architettura. Le consegne su larga scala di questi sistemi sono previste per quest'anno, rendendo cruciale la disponibilità tempestiva di memorie ad alte prestazioni.
Mentre SK Hynix aveva annunciato l'intenzione di fornire campioni di HBM4 già nel quarto trimestre dell'anno precedente, la produzione su larga scala non è prevista prima del 2026. Samsung, d'altra parte, afferma di aver raggiunto la produzione commerciale grazie ai suoi vantaggi nelle tecnologie litografiche. L'azienda utilizza processi produttivi più avanzati (classe 10nm 1c) non solo per i chip DRAM negli stack HBM4, ma anche per il chip di base, prodotto con tecnologia a 4nm. A differenza di SK Hynix, che si affida a TSMC per questo componente, Samsung è in grado di produrre internamente i chip di base.
Il direttore tecnico Jaehyuk Song ha dichiarato: "Stiamo dimostrando ancora una volta le reali capacità di Samsung. Anche se potremmo non aver pienamente dimostrato il lato di Samsung che risponde alle esigenze dei clienti in termini di tecnologia di livello mondiale, per un certo periodo, vedrete come torneremo alla nostra posizione precedente".
Secondo il comunicato stampa di Samsung, la memoria HBM4 è in grado di raggiungere velocità di trasferimento dati fino a 13 Gbps, con una velocità di regime di 11,7 GB/s. Samsung afferma che il tasso di rendimento della produzione di HBM4 ha raggiunto valori stabili. Formalmente, HBM4 è in grado di trasferire dati 1,22 volte più velocemente di HBM3E per contatto. Considerando le modifiche al layout e all'architettura, il vantaggio aumenta a 2,7 volte per stack di memoria. La velocità massima di trasferimento dati di HBM4 raggiunge 3,3 TB/s.
La configurazione a 12 strati consente di creare stack di memoria da 24 a 36 GB. Samsung prevede di offrire in futuro anche stack a 16 strati con una capacità fino a 48 GB. Il chip di base HBM4 è stato progettato per garantire un'elevata efficienza energetica. Quest'ultimo parametro è stato migliorato del 40% grazie all'utilizzo di nuovi metodi di formazione dei collegamenti interstrato e all'ottimizzazione del layout per ridurre il consumo energetico. Rispetto a HBM3E, l'efficienza della dissipazione del calore è stata migliorata del 30% e la resistenza termica è stata modificata del 10%.
Complessivamente, Samsung prevede di triplicare le vendite di tutti i tipi di HBM attuali nel corso di quest'anno. Nella seconda metà dell'anno, l'azienda è pronta ad avviare la fornitura di campioni di HBM4E ai propri clienti e, il prossimo anno, offrirà varianti personalizzate di questa memoria.
