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Nel corso dell'ultimo anno, Intel ha celebrato con particolare orgoglio l'inaugurazione del suo nuovo stabilimento Fab 52 in Arizona. Questo impianto è dedicato alla produzione di massa di chip basati sull'innovativa tecnologia Intel 18A, appartenente alla cosiddetta classe "angstrom". La struttura è notevolmente più grande e meglio equipaggiata rispetto agli impianti della concorrente TSMC situati nelle vicinanze.
Sebbene un confronto diretto tra i due stabilimenti possa non essere del tutto corretto, alcuni esperti hanno tentato di tracciare un parallelo basandosi su un recente rapporto di CNBC relativo a una visita all'impianto Fab 52 di Intel. Le prime indicazioni suggeriscono che la capacità produttiva di questo stabilimento supera le capacità combinate delle due fasi di Fab 21, il complesso di TSMC in Arizona, che già produce chip a 4 nm con standard qualitativi equivalenti a quelli di Taiwan.
La tecnologia Intel 18A si avvale di una struttura di transistor RibbonFET (GAA) e di un sistema di alimentazione posteriore PowerVia, offrendo un vantaggio tecnologico rispetto alle soluzioni proposte da TSMC. Le normative di Taiwan impediscono l'esportazione delle tecnologie più avanzate al di fuori dell'isola, pertanto gli stabilimenti americani del produttore a contratto rimangono indietro di un paio di generazioni rispetto agli impianti taiwanesi. Fab 52 di Intel è in grado di gestire fino a 40.000 wafer di silicio al mese, sebbene non abbia ancora raggiunto tale livello di produzione.
Un altro punto di forza di Fab 52 è la presenza di avanzate apparecchiature litografiche ASML. L'impianto dispone di quattro scanner con bassa apertura numerica (Low-NA EUV) progettati per operare con radiazione ultravioletta estrema. Almeno uno di questi scanner appartiene alla serie Twinscan NXE:3800E, che ha ereditato dai modelli più avanzati il supporto per wafer, la sorgente luminosa e una maggiore velocità di elaborazione dei wafer. Questo scanner è in grado di processare fino a 220 wafer di silicio all'ora con una densità di energia di 30 mJ/cm2. In confronto, gli scanner della famiglia Twinscan NXE:3600D possono elaborare fino a 160 wafer all'ora con lo stesso consumo energetico. Si prevede che Fab 52 ospiterà almeno 15 scanner litografici per la lavorazione con EUV.
L'impianto dispone inoltre di spazio sufficiente per ospitare scanner più grandi e sofisticati di classe High-NA EUV, ma al momento non è chiaro se questi verranno installati qui o nel futuro stabilimento Fab 62. L'attuale Fab 52 ha il potenziale per produrre il doppio dei chip rispetto a Fab 21 di TSMC, grazie all'impiego di tecnologie litografiche più avanzate. La seconda fase di Fab 21 sarà dedicata alla produzione di chip con processo a 3 nm, ma anche in combinazione con la prima fase, non supererà la capacità di elaborazione di 40.000 wafer di silicio al mese. Questo permetterà a Fab 52 di Intel di mantenere la parità o addirittura di superare gli stabilimenti americani di TSMC.
La sfida principale per Intel rimane il basso tasso di utilizzo di Fab 52, poiché l'incremento della produzione basata sulla tecnologia 18A richiederà tempo, data la necessità di attrarre ordini da terzi e di guadagnare la fiducia dei futuri clienti. TSMC, d'altro canto, beneficia di processi produttivi già consolidati negli Stati Uniti, il che le consente di accelerare significativamente la produzione di chip.
In conclusione, la competizione tra Intel e TSMC in Arizona si preannuncia intensa, con Intel che punta a sfruttare la sua nuova Fab 52 e la tecnologia 18A per riconquistare la leadership nel settore dei semiconduttori. La capacità di attrarre clienti esterni e di scalare la produzione sarà cruciale per il successo di questa strategia.
