Negli ultimi anni, Samsung Electronics si è trovata in una posizione di rincalzo nel mercato delle memorie di classe HBM (High Bandwidth Memory), mentre i suoi principali competitori, SK hynix e Micron Technology, hanno saputo conquistare il favore di Nvidia, il maggiore acquirente in questo settore. Tuttavia, stando alle previsioni degli analisti di Counterpoint Research, la situazione potrebbe cambiare già dal prossimo anno, quando Samsung potrebbe vedere la propria quota di mercato superare il 30%.
Il miglioramento delle prospettive per Samsung è attribuito alle imminenti forniture di microchip HBM4 destinati a Nvidia. Questo produttore sudcoreano sta puntando sulla capacità di recuperare il terreno perso, proprio attraverso il rilascio della memoria HBM4. Attualmente, il leader del mercato HBM è SK hynix, con una quota del 62% nel secondo trimestre di quest'anno, seguita dalla statunitense Micron Technology con il 21%, mentre Samsung si è dovuta accontentare di un 17%.
Nonostante la sfida sia ardua, Samsung ha buone possibilità di incrementare la sua quota di mercato oltre il 30% già dal prossimo anno. Oltre alle forniture di HBM4, l'azienda sta progettando di avviare la produzione di HBM3E per Nvidia, il che rafforzerà ulteriormente la sua posizione. Samsung è già in grado di produrre chip DRAM usando la tecnologia di 6^ generazione a 10 nm (1c), e l'inizio della produzione di massa di HBM4 è previsto entro la fine dell'anno. I clienti della società stanno già ricevendo i primi campioni di questi chip. Si prevede che la memoria HBM4 di Samsung aumenti l'efficienza energetica del 40% rispetto alle generazioni precedenti, con una velocità di trasferimento dati potenzialmente in grado di raggiungere i 11 Gbps. Per sostenere l'aumento dei volumi di produzione HBM, Samsung ha riavviato la costruzione di nuovi impianti nel campus P5.
L'azienda sudcoreana rinforzerà così la sua leadership nei mercati globali, grazie alle nuove tecnologie promosse dalla HBM4. Le imprese cinesi, sebbene stiano tentando di colmare il divario con i competitor, sono ancora lontane dalla capacità di produrre memoria di questa classe con la stessa efficienza. Ad esempio, CXMT sta lavorando allo sviluppo della HBM3, ma i prototipi attuali presentano problematiche legate alla velocità e alla dissipazione del calore; è improbabile che riesca ad avviare la produzione di HBM3 prima della seconda metà del prossimo anno. Anche le iniziative di sviluppare memorie concorrenti da parte di Huawei non promettono velocità superiori a metà di quelle dei migliori esemplari internazionali.
In conclusione, mentre Samsung sembra risoluta a incrementare la propria quota nel mercato delle memorie HBM attraverso innovazioni e ampliamenti produttivi, i concorrenti, in particolare quelli cinesi, dovranno affrontare numerose difficoltà tecniche prima di raggiungere livelli competitivi analoghi.